一種采用曼碼調(diào)制的非接觸IC卡讀寫程序編制
文章出處：http://www.sgrivertours.com 作者：邢中柱 人氣： 發(fā)表時(shí)間：2011年10月22日
非接觸IC卡技術(shù)已廣泛應(yīng)用于諸如電子交易，醫(yī)療保健憑證，駕車授權(quán)憑證，車輛加油管理系統(tǒng)，家居、公司辦公通道，各種限權(quán)進(jìn)入場(chǎng)所的門禁，各類電、水、熱能和煤氣計(jì)量表具的預(yù)付費(fèi)系統(tǒng)，乃至寵物識(shí)別等。因其使用便捷、安全，日益為有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的工程師所關(guān)注。
圖1 采用e5550/U2270B的非接觸卡讀寫系統(tǒng)示意圖非接觸IC卡是一種接口電路。它通過卡上配置的發(fā)射機(jī)應(yīng)答器振蕩線圈與基站振蕩線圈的耦合取得能量，通過必要的通信軟件配合，保證卡與基站間實(shí)現(xiàn)雙向數(shù)據(jù)交換，如圖1所示。許多著名廠商，如Simens、Philips、Temic等半導(dǎo)體公司，均有各具特色、性能優(yōu)異的產(chǎn)品。
圖1 采用e5550/U2270B的非接觸卡讀寫系統(tǒng)示意圖
e5550的全稱是標(biāo)準(zhǔn)讀寫識(shí)別集成電路（Standard Read/Write Identification IC）,實(shí)際即是一種低頻發(fā)射機(jī)應(yīng)答器。它與基站讀寫集成電路（Read/Write Base Station IC）U2270B相匹配，構(gòu)成非接觸IC卡系統(tǒng)的核心器件。這兩種器件統(tǒng)稱為非接觸式讀寫識(shí)別集成電路（其注冊(cè)商標(biāo)為IDIC,以下簡(jiǎn)稱IDIC或非接觸IC卡），均由德國本茨集團(tuán)麾下的Telefunken半導(dǎo)體公司開發(fā)，目前已轉(zhuǎn)由Atmel公司生產(chǎn)。因其工作可靠、價(jià)格低廉，不失為特定應(yīng)用領(lǐng)域的一種優(yōu)選方案。
一、 e5550/ U2270B器件組的基本性能
e5550發(fā)射機(jī)應(yīng)答器的基本性能如下：
（1） 低供電電壓、低功耗CMOS結(jié)構(gòu)的IDIC。
（2） 發(fā)射機(jī)應(yīng)答器的電源是通過非（直接）接觸的線圈耦合獲得。
（3） 額定的射頻（RF）振蕩頻率范圍為：100～150kHz。
（4） 發(fā)射機(jī)應(yīng)答器上帶有EEPROM，共分8個(gè)（存儲(chǔ)）區(qū)，每區(qū)有33個(gè)位，故總共有264個(gè)位（見表1）。
（5） 8個(gè)（存儲(chǔ)）區(qū)的首位分別為該區(qū)的寫保護(hù)位"L"。為"1"時(shí)，該區(qū)為只讀區(qū)；為"0"時(shí)，該區(qū)為既可讀又可寫區(qū)。
（6） 8個(gè)（存儲(chǔ)）區(qū)中的第0區(qū)為工作方式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，通常是不發(fā)送的，而其他的7個(gè)區(qū)每個(gè)區(qū)中各有32位，即總共有224位供用戶使用。
（7） 具備增強(qiáng)防護(hù)功能，以免非接觸卡式EEPROM的誤編程。
（8）每一存儲(chǔ)區(qū)的寫操作時(shí)間一般不超過50ms。
（9） EEPROM操作的一些其他選項(xiàng)：
· 比特率（位傳送率 b/s）--RF/8，RF/16，RF/32，RF/40，RF/50，RF/64，RF/100,RF/128。
· 調(diào)制方式--二進(jìn)制（BIN）、頻移鍵控（FSK）、相移鍵控（PSK）、曼徹斯特碼（Manchester）、雙相位碼（Biphase）。
· 其他--請(qǐng)求應(yīng)答（AOR）、終止方式和口令方式。
U2270B基站讀寫器的基本性能如下：
(1) 載波頻率fOSC范圍為100～150kHz。
(2) fOSC為125kHz時(shí)，典型的數(shù)據(jù)傳送率為5kb/s。
(3) 適用的調(diào)制方式為曼徹斯特碼（簡(jiǎn)稱曼碼）和雙相位碼。
(4) 可由5V的穩(wěn)壓電源或汽車蓄電池供電。
(5) 調(diào)諧能力。
(6) 與微控制器有兼容的接口。
(7) 處于備用工作方式時(shí)，其功耗甚低。
(8) 有一向微控制器供電的輸出端。
二、 非接觸IC卡的讀操作
現(xiàn)僅就IDIC通信中遇到的一些問題，并對(duì)通信的核心部分--讀寫操作做必要的探討。首先申明，所謂的讀寫，其意分別為：基站通過MCU進(jìn)行"讀操作"；基站通過MCU進(jìn)行"寫操作"。
e5550和U2270B匹配使用時(shí)，根據(jù)兩者的基本特性，其調(diào)制方式只可能在曼碼和雙相位碼中擇一。不失一般性，選擇曼碼調(diào)制。曼碼調(diào)制時(shí)數(shù)據(jù)傳送的規(guī)則可用圖2加以說明。
圖2采用曼碼調(diào)制的數(shù)據(jù)表達(dá)方式由圖2可知，位數(shù)據(jù)的傳送周期（1P）規(guī)定了每傳送1位數(shù)據(jù)的時(shí)間是固定的，它由RF/n決定。其物理實(shí)質(zhì)是微控制器通過基站與應(yīng)答器中的存儲(chǔ)器（EEPROM）進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。若載波頻率fOSC＝125kHz，位數(shù)據(jù)傳送率選RF/32，則每傳送一位的時(shí)間（周期）為振蕩周期的32分頻，故位傳送周期為：
1P=1/(125kHz×32)=256μs
根據(jù)我們得到的器件，采用曼碼調(diào)制的數(shù)據(jù)，位數(shù)據(jù)"1"對(duì)應(yīng)著電平下跳，位數(shù)據(jù)"0"對(duì)應(yīng)著電平上跳（注意：Telefunken半導(dǎo)體公司提供的資料（Rev.A2,13-Oct-97）正好與此相反，故最好用前自己先測(cè)試一遍，切記！）。在一串傳送的數(shù)據(jù)序列中，兩個(gè)相鄰的位數(shù)據(jù)傳送跳變時(shí)間間隔應(yīng)為1P。若相鄰的位數(shù)據(jù)極性相同，則在該兩次位數(shù)據(jù)傳送的電平跳變之間，有一次非數(shù)據(jù)傳送的、預(yù)備性的（電平）"空跳"。
電平上跳、電平下跳和兩個(gè)相鄰的同極性位數(shù)據(jù)之間的預(yù)備性空跳是確定位數(shù)據(jù)傳送特征的判據(jù)。本判據(jù)被定義為判據(jù)一（位數(shù)據(jù)檢測(cè)指標(biāo)）。
非接觸IC卡在讀操作時(shí)，另一須關(guān)注的問題是傳送的位數(shù)據(jù)序列起始標(biāo)志和結(jié)束標(biāo)志。廠商并未提供有關(guān)的資料，通過摸索，已基本掌握了其特征，為便于說明，請(qǐng)參見圖3。
圖3 曼碼調(diào)制的數(shù)據(jù)串起始/結(jié)束標(biāo)志的時(shí)序特
圖3曼碼調(diào)制的數(shù)據(jù)串起始/結(jié)束標(biāo)志的時(shí)序特征圖3中，stepcnt為讀操作步序，其確切含義見表2。
假定非接觸IC卡的存儲(chǔ)器內(nèi)存放的位數(shù)據(jù)序列為一非空集，則在若干位數(shù)據(jù)的跳變后，檢測(cè)到一電平上跳，經(jīng)過1.5P發(fā)生電平下跳，再經(jīng)過0.5P又發(fā)生電平的上跳，則該上跳即為起始標(biāo)志。起始標(biāo)志即為結(jié)束標(biāo)志。這意味著非接觸IC卡的存儲(chǔ)器內(nèi)存放的數(shù)據(jù)包括起始標(biāo)志（即結(jié)束標(biāo)志）和位數(shù)據(jù)序列。讀操作時(shí)，是首尾相接、循環(huán)執(zhí)行的。
識(shí)別數(shù)據(jù)起始標(biāo)志和數(shù)據(jù)結(jié)束標(biāo)志，是通過參數(shù)stepcnt進(jìn)行的順序化判別，故stepcnt為讀操作的判據(jù)二（首尾檢測(cè)指標(biāo)）。
非接觸IC卡在讀操作時(shí)，第三個(gè)須要關(guān)注的問題是，如何確定1.5P、1P和0.5P三個(gè)特征判據(jù)？e5550和U2270B的射頻振蕩頻率范圍在100～150kHz，當(dāng)位傳送率選擇RF/32時(shí)，即fOSC經(jīng)過32分頻后，上述的三個(gè)參數(shù)在不同的fOSC時(shí)，處于什么樣的范圍內(nèi)呢？請(qǐng)見表3。
由上可知，只要1.5P、1P和0.5P的間期是不重疊的。根據(jù)采用100～150kHz和110～140kHz兩組數(shù)據(jù)的對(duì)比可見，使用后者更合適。另一個(gè)辦法是：通過試驗(yàn)，找到合適的間期指數(shù)，即可依此作為電平躍變的判別閾。這樣，在確保識(shí)別能力的前提下，又從工藝上降低了對(duì)于振蕩回路的頻率精度要求。
根據(jù)上述振蕩頻率的變化范圍110～140kHz，將編碼變化的不同間隔轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的間期指數(shù)，具體如表4所列。
1.5P、1P和0.5P是識(shí)別數(shù)據(jù)起始標(biāo)志、位數(shù)據(jù)序列和數(shù)據(jù)結(jié)束標(biāo)志的間期特征值。通過試驗(yàn)，它可用間期指數(shù)prdcnt反映，故為讀操作的判據(jù)三（間期檢測(cè)指標(biāo)）。
借助于上述的位數(shù)據(jù)檢測(cè)指標(biāo)、首尾檢測(cè)指標(biāo)和間期檢測(cè)指標(biāo)，非接觸IC卡讀操作程序的撰寫便易如反掌。
三、 非接觸IC卡的寫操作
基站產(chǎn)生固定間隙的射頻振蕩，并通過控制兩個(gè)間隙之間的振蕩時(shí)間對(duì)位數(shù)據(jù)"1"和位數(shù)據(jù)"0"進(jìn)行編碼，持續(xù)地發(fā)送位數(shù)據(jù)流，完成寫操作。寫操作射頻振蕩波形示意如圖4所示。
圖4 寫操作時(shí)的信號(hào)流
注：域時(shí)鐘（TEMIC公司提供的資料用fC表示）為一時(shí)間間隔，若頻率為125kHz,fC=1/125kHz=8μs。
圖4寫操作時(shí)的信號(hào)流非接觸IC卡插入基站后，射頻線圈的耦合產(chǎn)生載波振蕩，利用兩次相鄰?fù)Ｕ裰g的不同時(shí)間間隔，區(qū)分位數(shù)據(jù)"1"和位數(shù)據(jù)"0"的編碼。停振間隙約在50～150域時(shí)鐘；位數(shù)據(jù)"0"的持續(xù)振蕩時(shí)間間隔為24域時(shí)鐘；位數(shù)據(jù)"1"的持續(xù)振蕩時(shí)間間隔為56域時(shí)鐘。當(dāng)停振間隙結(jié)束后，持續(xù)振蕩的時(shí)間間隔高于64域時(shí)鐘，則IDIC退出寫操作方式。
考慮到寫操作啟動(dòng)（start）時(shí)，有一頻率穩(wěn)定過程，寫操作停止（stop）時(shí)，有一EEPROM的寫入過程約16ms，于是將start和stop兩個(gè)階段均以20ms計(jì)。圖4中標(biāo)注的trnssqnc為發(fā)送順序編號(hào)，啟動(dòng)階段為0，位數(shù)據(jù)流發(fā)送階段為1，發(fā)送結(jié)束階段為2。
基站讀寫器上有三個(gè)引腳：bsout、bscfe和bsin，它們的含義見表5。
向e5550寫位數(shù)據(jù)時(shí)，有四種合法的數(shù)據(jù)流，具體如圖5所示。其中，OP為操作類型碼，包含兩位，"10"表示即將進(jìn)行的是寫操作，"11"為終止IDIC操作碼。多IDIC操作情況下，用這一特性可逐一控制應(yīng)答器，使待控應(yīng)答器逐一產(chǎn)生穩(wěn)定的射頻振蕩。當(dāng)方式數(shù)據(jù)區(qū)的第28位（usePWD）為"1"時(shí)，在寫操作碼"10"之后，即須將32位的口令（password）寫入EEPROM的第7區(qū)。位數(shù)據(jù)流有33位，是按區(qū)寫入的。其中的第一位為鎖定位L，L="1"表示該區(qū)為只讀區(qū)，L="0"表示該區(qū)為讀寫區(qū)，其余的32位為位數(shù)據(jù)。ADR為該位數(shù)據(jù)流的存放數(shù)據(jù)區(qū)，取值范圍為0～7。
根據(jù)上述的載波振蕩特性，利用carriercnst參數(shù)進(jìn)行界定（見表6），讀操作即不難實(shí)現(xiàn)。讀寫操作過程中，均使用了2μs為單位的計(jì)數(shù)值作為定時(shí)單位，目的是要使用MCS-51系列的微控制器的定時(shí)器。
結(jié)束語
通過以上說明，再認(rèn)真地研讀有關(guān)的技術(shù)資料，采用曼碼調(diào)制的非接觸IC卡讀寫程序便不難編制。當(dāng)然，實(shí)現(xiàn)IDIC的完整功能，還需要其他的一些程序模塊，如數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式、編碼的加密算法，一次讀/寫操作中若出錯(cuò)，則須重復(fù)進(jìn)行讀/寫操作、究竟重復(fù)幾次、讀/寫操作過程在超時(shí)后退出等，這些均可根據(jù)應(yīng)用對(duì)象的需求予以相應(yīng)的解決。有關(guān)采用曼碼調(diào)制的非接觸IC卡讀寫程序請(qǐng)見程序清單。
